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APTMC120AM55CT1AG

Microchip Technology

Hersteller Teil #:

APTMC120AM55CT1AG

Hersteller:

Microchip Technology

Paket:

SP1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Microchip Technology
Series	-
Package	Bulk
Technology	Silicon Carbide (SiC)
FET Feature	-
Power - Max	250W
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type	Chassis Mount
Package / Case	SP1
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 2mA (Typ)
Base Product Number	APTMC120
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	49mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package	SP1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	98nC @ 20V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	55A (Tc)

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