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APTM100TDU35PG

Microsemi Corporation

Hersteller Teil #:

APTM100TDU35PG

Hersteller:

Microsemi Corporation

Paket:

SP6-P

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Menge:

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Name des Kontakts

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Microsemi Corporation
Series	-
Package	Bulk
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Power - Max	390W
Configuration	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Mounting Type	Chassis Mount
Package / Case	SP6
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Base Product Number	APTM100
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package	SP6-P
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	186nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A

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