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APT28M120B2

Microchip Technology

Hersteller Teil #:

APT28M120B2

Hersteller:

Microchip Technology

Paket:

T-MAX™ [B2]

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Microchip Technology
Series	POWER MOS 8™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-3 Variant
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Base Product Number	APT28M120
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	560mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max)	1135W (Tc)
Supplier Device Package	T-MAX™ [B2]
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9670 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	29A (Tc)

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