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APT11N80KC3G

Microsemi Corporation

Hersteller Teil #:

APT11N80KC3G

Hersteller:

Microsemi Corporation

Paket:

TO-220 [K]

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 11A TO220

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Land

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Datencode

Mfr	Microsemi Corporation
Series	CoolMOS™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 680µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220 [K]
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1585 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)

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