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2SK3132(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

2SK3132(Q)

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-3P(L)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 50A TO3P

Menge:

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Land

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-3PL
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3.4V @ 1mA
Base Product Number	2SK3132
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Supplier Device Package	TO-3P(L)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	280 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11000 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Ta)

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