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2SK2866(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

2SK2866(F)

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

Menge:

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Menge

Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Base Product Number	2SK2866
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2040 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)

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