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Transistors (85654)

Bild	Modell	Beschreibung	Datenblatt	Bestand und Menge	Preis (USD)	Menge	RoHS
	FZ1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies Preis: $780.995	FZ1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies	IGBT MODULE	-	58 Auf Lager	1 : $780.995
	FZ1200R17KF4CNOSA1 Infineon Technologies Preis: $1274.9855	FZ1200R17KF4CNOSA1 Infineon Technologies	FZ1200R17 - INSULATED GATE BIPOL	-	534 Auf Lager	1 : $1274.9855		-
	FZ1600R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies Preis: $1358.6045	FZ1600R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies	FZ1600R17KF6C_B2 - 1700V IGBT MO	-	97 Auf Lager	1 : $1358.6045		-
	FZ800R12KF5NOSA1 Infineon Technologies Preis: $659.661	FZ800R12KF5NOSA1 Infineon Technologies	IGBT MODULE	-	92 Auf Lager	1 : $659.661
	FZT649 Fairchild Semiconductor Preis: - RFQ	FZT649 Fairchild Semiconductor	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 25	-	Auf Lager	-		-
	HAT1089C-EL-E Renesas Preis: - RFQ	HAT1089C-EL-E Renesas	HAT1089C - Pch Single Power Mosf	-	Auf Lager	-		-
	HAT1044M-EL-E Renesas Preis: $0.6365	HAT1044M-EL-E Renesas	HAT1044M-EL-E - SILICON P CHANNE	-	2408 Auf Lager	449 : $0.6365
	HAT1096C-EL-E Renesas Preis: $0.209	HAT1096C-EL-E Renesas	HAT1096C - P-CHANNEL POWER MOSFE		9000 Auf Lager	1343 : $0.209
	HAT1128R01-EL-E Renesas Electronics America Inc Preis: $1.9475	HAT1128R01-EL-E Renesas Electronics America Inc	6A, 60V, 0.085OHM, 2-ELEMENT, P	-	2500 Auf Lager	147 : $1.9475
	HAT1125HWS-E Renesas Electronics America Inc Preis: $2.394	HAT1125HWS-E Renesas Electronics America Inc	P-CHANNEL POWER MOSFET	-	2020 Auf Lager	120 : $2.394